На замену магнетронам
26.06.2017621

Компания NXP Semiconductors развивает технологию создания мощных транзисторов на основе техпроцесса LDMOS для модернизации схем микроволновых генераторов на электровакуумных лампах.

mrf13750h-new-rf-ssc-2

В частности, в июне NXP представила самый мощный из существующих на сегодняшний день кремниевый транзистор для приложений 915 МГц. На напряжении 50 В транзистор MRF13750H выдает до 750 Вт мощности волнового излучения, что на 50% выше лучшего аналога.

При этом твердотельный компонент заметно превосходит электровакуумные устройства, в частности магнетроны, в надежности и точности управления мощностью на всём диапазоне (0..750 Вт) и позволяет реализовать частотный сдвиг, помогающий точно задействовать высокочастотную энергию. Компонент способен надежно функционировать десятилетиями, при минимальной постепенной деградации основных характеристик.

Также к достоинствам нового компонента стоит отнести его компактность, что открывает широкие возможности для ретрофита существующих схемных решений в промышленных, научных и медицинских системах, работающих в диапазоне 700..1300 МГц. Особенно актуален он будет в производственных печах 915 МГц, системах травления и сварки, и в ускорителях частиц 1300 МГц.

mrf13750h-new-rf-ssc-1

«Надежность и точность в управлении твердотельными компонентами уже давно не являются секретом для разработчиков. Но, что их сдерживало до сих пор от массового внедрения нового поколения компонентов в схемные решения – так это необходимость комбинировать множество компонентов для выхода на показатели мощности, характерные для магнетронов. Так было до сих пор», — комментирует Пьер Пьель (Pierre Piel), руководитель высокочастотного направления в NXP. «Новые транзисторы MRF13750H демонстрируют прекрасные характеристики, например, для применения в промышленных печах».

«Преимущества твердотельной высокочастотной технологии, в частности в вопросах управляемости генераторов – весьма ощутимы, и Высокочастотный Энергетический Альянс (RF Energy Alliance, RFEA) видит множество рыночных перспектив, как в области модернизации существующих приложений, так и в открытии новых возможностей», — не скупится на похвалу Клаус Вернер (Klaus Werner), исполнительный директор RFEA. «Прекрасные характеристики нового MRF13750H несомненно подстегнут внедрение твердотельных технологий в высокочастотном кластере электронной промышленности».

КПД нового транзистора при максимальной частоте и мощности составляет 67 %, он производится в корпусах 7.6 × 9.7 см.

Для заказа уже доступны инженерные образцы и оценочная плата на 915 МГц. Начало серийного выпуска MRF13750H запланирован на декабрь 2017 года.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современной компонентной базы для производства электронных приборов обращайтесь в отдел электронных компонентов фирмы VD MAIS — профессионального дистрибьютора электронных компонентов для различных отраслей промышленности Украины.