Уже в сентябре стартует промышленное производство 8-мегабитных чипов энергонезависимой памяти ReRAM с самой высокой в мире плотностью элементов.

Отличились японские корпорации Fujitsu Semiconductor и Panasonic Semiconductor, в тандеме работающие над развитием технологии резистивной память с произвольным доступом (RRAM, ReRAM, Resistive random-access memory).

Перспективная технология энергонезависимой памяти основана на изменении сопротивления диэлектрика под влиянием приложенных напряжений. ReRAM рассматривается как альтернатива EEPROM, с большей плотностью и менее энергоемкая. Родившись в качестве идеи в 1960-х, в 2000-х технология взята в разработку лидерами отрасли, но довольно долго оставалась на стадии лабораторных исследований – при кажущейся простоте переход от прототипов к промышленному производству бесконечно откладывался. Над проблемой работали сразу несколько консорциумов: Panasonic с Fujitsu, Crossbar, Sony и Micron (не так давно последняя вышла из этого проекта, т. к. переключилась на разработку вместе с Intel памяти 3D XPoint). Свои исследования ведут HP с Western Digital, 4DS, Adesto. Ряд разработчиков отдает предпочтение альтернативным технологиям. Так, GlobalFoundries, Toshiba—SK Hynix, Micron и ряд других делают ставку на STT-MRAM. На эту память переключил свои силы и Samsung.

Решить технологические проблемы удалось к концу 2016-го. В 2017 году Panasonic и Fujitsu разместили производство 4-мегабитных чипов ReRAM по 40-нанометровой технологии на мощностях контрактного производителя UMC (United Microelectronics Corporation) в Тайване. В этом же году калифорнийская компания Crossbar разместила первые заказы на производство чипов ReRAM по 40 нм технологии на мощностях китайского производителя SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation).

О планах начать производство ReRAM в 2019 году заявила еще в начале года TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) – крупнейший в мире производитель полупроводниковых чипов. Заявлено, что встраиваемая eReRAM 28 нм будет выпускаться в составе контроллеров SoC. Неровно дышащая на любые телодвижения TSMC на рынке памяти, компания Intel заявила, что тоже включает встраиваемые ReRAM по 22-нанометровому техпроцессу в портфель на 2019 год.

И вот опять японцы! Fujitsu Semiconductor готова принимать заказы на новые чипы ReRAM уже с сентября этого года. Микросхема MB85AS8MT (была разработана совместно с Panasonic) будет поставляться в двух форм-факторах: в EEPROM-совместимом 8-выводном корпусе SOP и сверхкомпактном 11-контактном WL-CSP размером 2 × 3 мм для установки в носимые устройства.

MB85AS8MT имеет интерфейс SPI и может работать в широком диапазоне напряжений питания от 1.6 В до 3.6 В. Одной из основных особенностей ReRAM является чрезвычайно малый потребляемый ток для операций чтения, например, для MB85AS8MT он равен 0.15 мА при рабочей частоте 5 МГц, что составляет лишь 5% от потребления EEPROM большой плотности. Это минимизирует расход тока батареи при использовании в приложениях с автономным питанием и частыми операциями чтения данных.

Максимальная частота составляет 10 МГц, время цикла парезаписи – 10 мс, гарантированное производителем количество циклов перезаписи – 1 млн. Количество циклов чтения не лимитировано. Гарантированное время хранения данных составляет 10 лет (при 85°C)

Память с самым низким в отрасли током, потребляемым в режиме чтения, оптимальна для миниатюрных носимых устройств с батарейным питанием, таких как слуховые аппараты, умные часы, очки и прочие браслеты.

Fujitsu Semiconductor известна широким портфолио сегнетоэлектрических ОЗУ (FRAM), обеспечивающих большее количество циклов записи и более высокие скорости записи по сравнению с EEPROM и флэш-памятью. FRAM продукты Fujitsu приобретают все более широкую известность как оптимальная энергонезависимая память для очень частой регистрации данных и для защиты данных от внезапных отключений питания. Между тем, некоторым потребителям требуется память, потребляющая меньше тока при операциях чтения, поскольку для их приложений характерны редкая запись данных и очень частое чтение.

Чтобы удовлетворить такие потребности, и была разработана новая энергонезависимая память ReRAM с двумя функциями: «большая плотность, обеспечивающая побайтовый доступ» и «малый ток чтения». В приложениях с батарейным питанием, выполняющих частое чтение данных, например, для загрузки определенной программы или извлечения параметров настройки, новая память обеспечивает минимальный расход энергии батарей.

За консультациями по поставкам высококачественных электронных компонентов для различных применений обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS — профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.