Компания STMicroelectronics выпускает полную линейку 1200-вольтовых карбидо-кремниевых (SiC) диодов с барьером Шоттки, рассчитанных на рабочие токи от 2 А до 40 А.
Карбидо-кремниевая технология позволяет производителя полупроводниковых компонентов увеличить КПД, обеспечивает при прочих равных самые низкие значения прямого падения напряжения VF, способствуя снижению рабочей температуры устройства и увеличению срока его службы.
Разработанная ST технология промышленного изготовления SiC диодов позволяет создавать исключительно надежные компоненты с самым низким в своем классе VF и предоставляет разработчикам дополнительные возможности, используя более слаботочные и, соответственно, более дешевые диоды, повысить КПД своих устройств. Это делает технологию SiC доступнее для таких критичных к цене приложений, как инверторы солнечных батарей, промышленные драйверы двигателей, бытовые электроприборы и адаптеры питания.
В то же время, разработчики устройств, в которых высокий уровень характеристик важнее цены, выиграют от использования преимуществ легкого веса, небольших размеров или лучших тепловых параметров новейших 1200-вольтовых SiC диодов ST.
К типовым приложениям, где можно и нужно использовать новые SiC-компоненты, относятся бортовые зарядные устройства и зарядные станции для гибридных и электрических транспортных средств, инверторы солнечных электростанций, источники бесперебойного питания, приводы электродвигателей, а также системы питания серверного и телекоммуникационного оборудования.
Новое семейство 1200-вольтовых SiC диодов компании ST охватывает диапазон допустимых токов от 2 А до 40 А и выпускается в корпусах для поверхностного монтажа DPAK HV и D2PAK, или в корпусах для монтажа в отверстия TO-220AC и TO-247LL.
К слову, ST является единственным поставщиком, предлагающим 1200-вольтовые SiC диоды в корпусах D2PAK. Также производитель гордится малым разбросом гарантированных прямых напряжений диодов, что способствует повышению воспроизводимости параметров при массовом выпуске конечной продукции.
Part Number | Package | Number of Diodes spec | Repetitive Peak Reverse Voltage (V) max | Average Rectified Current (A) max | Vf (V) max | VF measure condition (A) (@ IF) spec | Ir (mA) max | Total capacitive charge (nC) | Non-Repet Peak Forward Surge Current (A) max |
STPSC10H12 | D2PAK,DPAK HV 2L,TO-220AC | 1 | 1200 | 10 | 1.5 | 10 | 0.06 | 57 | 71 |
STPSC10H12-Y | D2PAK,TO-220AC | 1 | 1200 | 10 | 1.5 | 10 | 0.06 | 57 | 71 |
STPSC10H12C | TO-247 long leads | 2 | 1200 | 10 | 1.5 | 5 | 0.03 | 57 | 210 |
STPSC15H12 | TO-220AC | 1 | 1200 | 15 | 1.5 | 15 | 0.09 | 94 | 105 |
STPSC15H12-Y | TO-220AC | 1 | 1200 | 15 | 1.5 | 15 | 0.09 | 94 | 105 |
STPSC20H12 | D2PAK,TO-220AC | 1 | 1200 | 20 | 1.5 | 20 | 0.12 | 130 | 140 |
STPSC20H12-Y | D2PAK,TO-220AC | 1 | 1200 | 20 | 1.5 | 20 | 0.12 | 129 | 140 |
STPSC20H12C | TO-247 long leads | 2 | 1200 | 20 | 1.5 | 10 | 0.06 | 57 | 420 |
STPSC2H12 | DPAK HV 2L,TO-220AC | 1 | 1200 | 2 | 1.5 | 2 | 0.012 | 15.6 | 15 |
STPSC30H12C | TO-247 long leads | 2 | 1200 | 30 | 1.5 | 15 | 0.09 | 94 | 630 |
STPSC40H12C | TO-247 long leads | 2 | 1200 | 40 | 1.5 | 20 | 0.12 | 129 | 700 |
STPSC5H12 | DPAK HV 2L,TO-220AC | 1 | 1200 | 5 | 1.5 | 5 | 0.03 | 36 | 71 |
STPSC6H12 | DPAK HV 2L | 1 | 1200 | 6 | 1.9 | 6 | 0.4 | 30 | 100 |
За консультациями по поставкам высококачественных электронных компонентов для различных применений обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS — профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.