Корейский суперчеболь Samsung Electronics объявил о начале серийного выпуска первых в индустрии встраиваемых модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) емкостью 512 ГБ для смартфонов и планшетов.
Новые модули созданы на базе технологии 64-слойной флэш-памяти V-NAND и производятся на новом заводе Samsung в Пьонтайк (Pyeongtaek), Южная Корея. Новая фабрика обошлась Samsung в астрономические 37 триллионов корейских вонов (около 30 млрд. долларов США) и была запущена в работу в середине июня. Предприятие специализируется на производстве модулей 64-слойной памяти 4-го поколения V-NAND. Первыми со стапелей предприятия начали отгружать модули 256 ГБ, и вот, всего через полгода, предприятие начало выдавать на-гора новые модули 512 ГБ.
Новые модули флэш-памяти eUFS емкостью 512 ГБ, состоящие из восьми микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит и контроллера, по размерам корпуса идентичны предшественникам емкостью 256 ГБ. На данный момент память eUFS выпускается в коммерческом исполнении емкостью 64, 128 и 256 ГБ. Эти же модули в индустриальном исполнении пока доступны только в виде инженерных образцов. Модули 512 ГБ, о которых говорится в пресс-релизе компании, на официальном сайте пока не представлены вовсе.
Part Number | Version | Density | Voltage | Interface | Package Size | Temp. | Product Status |
KLUCG4J1ED-B0C1 | UFS 2.1 | 64GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.0 mm | -25 ~ 85 °C | Mass Production |
KLUCG4J1ZD-B0CP | UFS 2.1 | 64GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.2 mm | -40 ~ 105 °C | Sample |
KLUCG4J1ZD-B0CQ | UFS 2.1 | 64GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.2 mm | -40 ~ 105 °C | Sample |
KLUDG4U1EA-B0C1 | UFS 2.1 | 128GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.0 mm | -25 ~ 85 °C | Mass Production |
KLUDG8J1ZD-B0CP | UFS 2.1 | 128GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.2 mm | -40 ~ 105 °C | Sample |
KLUDG8J1ZD-B0CQ | UFS 2.1 | 128GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.2 mm | -40 ~ 105 °C | Sample |
KLUDG8V1EE-B0C1 | UFS 2.1 | 128GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.0 mm | -25 ~ 85 °C | Mass Production |
KLUEG8U1EA-B0C1 | UFS 2.1 | 256GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.0 mm | -25 ~ 85 °C | Mass Production |
KLUEG8U1EM-B0C1 | UFS 2.1 | 256GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.0 mm | -25 ~ 85 °C | Mass Production |
KLUEGAJ1ZD-B0CP | UFS 2.1 | 256GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.65 mm | -40 ~ 105 °C | Sample |
KLUEGAJ1ZD-B0CQ | UFS 2.1 | 256GB | 1.8 / 3.3 V | G3 2Lane | 11.5 x 13 x 1.65 mm | -40 ~ 105 °C | Sample |
Что известно – это возросшая скорость обмена данными при снижении удельного энергопотребления на 35%. Скорость последовательного чтения в новых модулях Samsung достигает 860 МБ/с, последовательной записи — 255 МБ/с. Хранящийся в встроенной памяти смартфона видеоролик разрешением 1920х1080 пикселей размером 5 ГБ можно будет скопировать за 6 секунд – в восемь раз быстрее, чем при копировании с карты памяти microSD. Максимальная производительность на операциях с произвольным доступом в режиме чтения заявлена равной 42 000 IOPS, в режиме записи — 40 000 IOPS. Это примерно в 400 раз выше, чем у карт памяти microSD (около 100 IOPS).
Впрочем, новые возможности eUFS 512 ГБ понравятся не только счастливым обладателям флагманских моделей смартфонов Samsung. Феноменальная плотность хранения, высокая скорость обмена данными и отличная надежность открывают новые возможности для использования eUFS в промышленных приложениях, прежде всего в автомобильной электронике.
По некоторым оценкам в стремлении снять сливки с массового рынка чеболь в первую очередь постарается удовлетворить запросы производителей смартфонов и планшетов и только потом повернется лицом к промышленной электронике. Samsung анонсировала наращивание темпов выпуска новой 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит при этом не уменьшая и производство модулей 48-слойной памяти 256 Гбит.
За консультациями по поставкам электронных компонентов обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS — профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.