В помощь разработчику: новый каталог Dynex и новые IGBT-модули
13.04.202050

Английская компания Dynex Semiconductors выпустила новый каталог силовых полупроводниковых компонентов. Новое поколение IGBT-модулей – уже в производстве.

новые IGBT-модули

Dynex Semiconductor была основана в провинциальном Линкольне в 1956 году. Бурная история и череда слияний и поглощений позволили небольшому, по сути, предприятию, аккумулировать технологии таких прославленных брендов, как AEI, General Electric, Marconi, GEC, Siemens, Edison, Alstom и др. Благодаря этому к началу XXI века Dynex становится глобальным центром экспертизы в области силовой электроники, соучредителем Национального Института микроэлектроники при Университете графства Суррей (Большой Лондон) и исследовательских центров при университетах в Дареме и Уорике.

Продукция Dynex получила «прописку» во многих знаковых проектах в аэрокосмической, энергетической, железнодорожной и автомобильной отраслях. Очень сильные позиции Dynex в сегменте электроники для железной дороги привели к приобретению ее акций (процесс длился с 2008 по 2018 год) главным клиентом — подразделением китайской корпорации CRRC. Под крылом крупнейшего в мире производителя железнодорожных локомотивов и подвижного состава (359 место в Fortune Global 500 и чуть не полтора миллиарда евро в год инвестиций в R&D) компания из провинциального Линкольна прочно удерживает лидерство в мировой отрасли силовых полупроводниковых приборов.

В новый каталог вошли стандартные изделия Dynex:

  • IGBT в виде кристаллов и модулей, в т.ч. в корпусе Press-pack. Линейка стандартных IGBT-модулей включает устройства на напряжения до 1200, 1700, 3300, 4500 и 6500 В и максимальные токи, соответственно, до 2400, 2400, 1800, 1500 и 1000 А. Заказчики имеют выбор из приборов, произведенных на базе проприетарных технологий Dynex Non Punch Through (DNPT) и Dynex Soft Punch Through (DSPT) и современной Trench Soft Punch Through (TSPT).
  • фазоконтролирующих тиристоров, с рабочими напряжениями от 1400 до 8500 В и токами от 370 до 7610 А
  • выпрямительных диодов (1400-9000 В, до 8880 А)
  • тиристоров запирающихся по затвора (1300-4500 В, до 1180 А)
  • импульсных тиристоров (3300 и 4500 в, до 1670 А)
  • диодов с быстрым восстановлением (1400-6500 В, до 3200 А), в т.ч. в виде FRD-модулей (1200-6500 В, до 1200 А)
  • асимметричных шунтирующих тиристоров на прямое напряжение 1000 В и обратные 3300 и 4500 В и токи до 3200 и 2900 А для защиты IGBT в многоуровневых преобразователях напряжения

Стоит отметить появление в новом каталоге 5-го поколения IGBT-модулей на 1,2 и 1,7 кВ, выполненных в сверхкомпактных корпусах M1, H1 и H2 с высокими показателями плотности мощности и сниженными потерями.


vd-mais-professional-distributorВ Украине разработки англичан доступны благодаря VD MAIS – официальному дистрибьютору продукции Dynex Semiconductors в Украине. За детальной информацией по применению силовой электроники в различных отраслях промышленности обращайтесь в отдел электронных компонентов НПФ VD MAIS.

Новая продукция

Каталог